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硝酸浓度对硅晶片总厚度和重量损失的影响

硝酸浓度对硅晶片总厚度和重量损失的影响

新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄...

2022-06-14 标签:集成电路蚀刻晶片 12

佳能新发售KrF半导体光刻机的Grade10升级包

佳能新发售KrF半导体光刻机的Grade10升级包

澳门新莆京在线登录佳能将于2022年8月初发售KrF※1半导体光刻机“FPA-6300ES6a”的“Grade10”产能升级配件包(以下简称“Grade10”升级包)。KrF半导体光刻机“FPA-6300ES6a” 自发售至今,已经在生产存储器和逻辑电路的...

2022-06-14 标签:佳能光刻机 205

聚焦IGBT产业链上的封装环节 为IGBT国产化保驾护航

聚焦IGBT产业链上的封装环节 为IGBT国产化保驾护航

与普通IC芯片相比,IGBT减薄工艺更难解决,对封装设备要求更高。更柔性、更稳定、更精准、更快速的高精度芯片贴装设备是IGBT国产化的关键之一。...

2022-06-13 标签:封装IGBT直线电机贴片机音圈电机 304

百亿美元市场背后的技术之战 芯片先进封装脉动全球

澳门新莆京在线登录预计2024年,全球先进封装市场达440亿元。先进封装设备贴片机升级成封装厂商投资重点。...

2022-06-13 标签:封装直线电机贴片机音圈电机 272

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

点击蓝字关注我们摘要介绍德令哈市新能源有轨电车示范线工程采用剩余电流式电气火灾探测器,就地组网方式,通过现场总线通讯远传至后台,从而实现剩余电流式电气火灾监控系统的搭建,...

2021-11-19 标签:监控系统 85

西安紫光国芯受邀出席西安市半导体及集成电路产业链投资推介会

澳门新莆京在线登录6月10日,芯耀长安·“链”接未来—西安市半导体及集成电路产业链投资推介会举办。西安紫光国芯受邀出席,西安紫光国芯董事、总裁江喜平作为集成电路设计企业代表发言,与省、市相关部...

2022-06-12 标签:集成电路半导体紫光国芯 672

硅片减薄蚀刻技术:RIE技术将硅片减薄到小于20微米

硅片减薄蚀刻技术:RIE技术将硅片减薄到小于20微米

引言 高效交叉背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积,从而为家庭消费提供足够的能量。我们华林科纳认为,借助光阱方案,适当钝化的IBC电池即使厚度小于20μm也能保持20%的效...

2022-06-10 标签:制造工艺蚀刻 3543

蚀刻工艺表征实验报告研究

蚀刻工艺表征实验报告研究

初始屏蔽检查 对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓,无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能,对横截面进行SEM检查,以确定适用于您的蚀刻步骤...

2022-06-10 标签:半导体蚀刻 3574

紫光国微旗下紫光青藤入选国家鼓励的重点集成电路设计企业清单

为持续优化集成电路产业发展环境,鼓励企业提升产业创新能力,国家发展改革委、工业和信息化部、财政部、海关总署、税务总局联合发出《关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企业...

2022-06-10 标签:集成电路紫光国微 685

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘视觉上料系统

澳门新莆京在线登录柔性振动盘是一种适用于工业自动化生产中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盘、柔性振盘、柔性供料器等。弗莱克斯柔性振动盘有五种规格,分别是FF100-FF500,能够解决大小不一...

2021-02-20 标签:振动盘 513

通过一体式蚀刻工艺来减少通孔的缺陷

通过一体式蚀刻工艺来减少通孔的缺陷

引言 本研究针对12英寸晶圆厂近期技术开发过程中后端一体化(AIO)蚀刻工艺导致的图案失效缺陷。AIO蚀刻直接限定了沟槽和通孔的形状,然而,包括层间介电膜的沉积、金属硬掩模和湿法清洗的...

2022-06-01 标签:半导体蚀刻 5810

湿法清洗过程中的颗粒沉积和去除研究

湿法清洗过程中的颗粒沉积和去除研究

澳门新莆京在线登录摘要 溶液中晶片表面的颗粒沉积。然而,粒子沉积和清除机制液体。在高离子中观察到最大的粒子沉积:本文将讨论粒子沉积的机理酸性溶液的浓度,并随着溶液pH值的增加而降低,在使用折痕...

2022-06-01 标签:半导体晶片 5030

封测企业华进半导体荣获无锡高新区科技创新贡献奖

2022年5月30日,无锡高新区(新吴区)召开全区人才工作暨科技创新大会,华进半导体荣获“2021年度区科技创新贡献奖”、“2021年度区科技创新资金重点奖励企业”,华进半导体总经理孙鹏上台...

2022-05-31 标签:封装封测华进半导体 838

22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法

22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法

澳门新莆京在线登录本文描述了我们华林科纳研究去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。 随着图案尺寸的不断减小,金属硬掩模(MH...

2022-05-31 标签:芯片集成电路半导体 2210

图解SK海力士半导体生产全过程 看半导体制造如何点沙成金

图解SK海力士半导体生产全过程 看半导体制造如何点沙成金

澳门新莆京在线登录. 来源 : SK 海力士...

2022-05-27 标签:半导体SK海力士 1328

半导体工业中表面处理和预清洗的重要性

半导体工业中表面处理和预清洗的重要性

半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻,酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必...

2022-05-26 标签:半导体蚀刻清洗表面处理 578

KOH和TMAH溶液中凸角蚀刻特性研究

KOH和TMAH溶液中凸角蚀刻特性研究

在湿法各向异性蚀刻中,底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而,还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切...

2022-05-24 标签:蚀刻晶片溶液 618

联电新加坡晶圆厂P3开始动工,预计2024年底实现量产

今年3月份,联电曾计划咋新加坡Fab12i厂区新建晶圆厂,共计花费50亿美元,预计将在2024年底实现量产。 日前,联电新加坡的新晶圆厂P3正式开始动工,并且以9.54亿新台币的价格取得了30年的土...

2022-05-24 标签:联电晶圆厂新加坡 922

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

我们华林科纳讨论了一些重要的等离子体蚀刻和沉积问题(从有机硅化合物)的问题,特别注意表面条件,以及一些原位表面诊断的例子。由于等离子体介质与精密的表面分析装置不兼容,讲了...

2022-05-19 标签:等离子体蚀刻 719

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

本文介绍了我们华林科纳研究了污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响。硅表面专门暴露在有机和金属污染中,以研究它们对碱性纹理化过程的影响,由此可见,无机污染对金字塔密度的影响不小...

2022-05-18 标签:晶片清洗刻蚀 490

晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响

晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响

澳门新莆京在线登录本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组,进行了清洗实验及室温接合, 以上工艺除热处理工艺外,通过最小化工序内部时间间隔,抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质...

2022-05-16 标签:晶片硅片键合硅衬底 648

一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法

一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法

本文展示了一种使用连续湿法化学表面活化(即SPM→RCAl清洗)结合硅和石英玻璃晶片的键合方法。经过200 ℃的多步后退火,获得了无空洞或微裂纹的牢固结合,基于详细的表面和键合界面表征,...

2022-05-13 标签:工艺晶片键合 844

详解化学镍沉积技术的沉积过程

详解化学镍沉积技术的沉积过程

本文报道了这种化学镍的形成,包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查,研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响,以帮助详细了解活化机理,并确定它们对化学...

2022-05-13 标签:工艺晶片刻蚀 698

不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响

不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响

澳门新莆京在线登录本文介绍了我们华林科纳研究不同清洗方法(离心和透析)对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响,关于透析过程,核磁共振分析表明,经过9个清洗周期后,柠檬酸浓度与第一次...

2022-05-12 标签:纳米清洗 475

三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用

三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用

我们华林科纳研究了三种化学溶液,用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液,其中n =β和...

2022-05-12 标签:光栅激光器清洗 423

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

接上回的实验演示   实验演示  非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移; 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀...

2022-05-11 标签:光学蚀刻蚀刻工艺光学器件 331

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)

澳门新莆京在线登录​引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀,用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意...

2022-05-11 标签:光学蚀刻蚀刻工艺光学器件 253

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

基本化学成分以Cl2为基础,外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测,以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在...

2022-05-11 标签:工艺蚀刻 246

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先进节点上,兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。   泛林集团在与...

2022-05-07 标签:半导体电路仿真FinFET 5460

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层,通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层,发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构,用这种方法可以制作品质因数高得多的多孔硅微腔,...

2022-05-06 标签:超声波蚀刻蚀刻工艺 673

半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性

半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性

本研究利用CFD模拟分析了半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性,并根据分析Case和晶片位置观察了设计因子变化时的速度变化。...

2022-05-06 标签:半导体特性晶片 451

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响,我们发现在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化...

2022-05-06 标签:多晶硅蚀刻 438

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